什么是巨磁电阻？
巨磁电阻效应可解释为磁性材料电阻率随外界磁场显著增大。一般通过设置惠斯通电桥的方式，在两个桥臂上会固定电阻，另外两个桥臂为固定电阻(和，或补偿电阻…）。
在易磁化轴上磁场变化时，GMR电阻变化，桥式电路输出明显变化。
基于此，可以实现磁场检测。
主要应用领域：
1. 硬盘磁头。采用GMR做为磁头，读取硬盘数据。
2. 电流传感器。采用梯度芯片方式，读取磁场，可做成开环电流传感器，闭环电流传感器。
3. 地磁停车系统。基于磁场检测，实现停车位检测。也有用AMR，比如honeywell hmc5883。
4. 角度传感器。GMR是平面磁场方向，所以可以在平面内形成两轴，x y分别检测正交方向磁场，结算角度。
5. 金融磁头类。
宜昌市瑞磁科技有限公司是一家电流传感器专业研发，制造企业。
目前产品线包含高精度磁通门电流传感器，TypeB.型漏电流传感器，霍尔电流传感器，电压传感器。
产品覆盖领域包括电动汽车电流检测，模式二充电线漏电流检测，新能源领域漏电检测，直流屏数据中心电流检测漏电流检测。
电梯物联网电流传感器销量遥遥领先。
延伸阅读
了解巨磁电阻前所需掌握的知识？
巨磁电阻（GMR）效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在显著变化的现象 ，一般将其定义为gmr＝其中（h）为在磁场h作用下材料的电阻率（0）指无外磁场作用下材料的电阻率。根据这一效应开发的小型大容量计算机硬盘已得到广泛应用。 磁性金属和合金一般都有磁电阻现象，所谓磁电阻是指在一定磁场下电阻改变的现象，人们把这种现象称为磁电阻。所谓巨磁阻就是指在一定的磁场下电阻急剧减小，一般减小的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值约高10余倍。
它具有功耗小，可靠性高，体积小，能工作于恶劣的工作条件等特点。
什么是巨磁电阻效应其物理本质？
巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。
巨磁阻物理本质是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
AMR的磁电转换特性是什么？
AMR就是巨磁电阻，其特性是：巨磁电阻处于磁场中，其阻值急剧变小，磁场强度越大，电阻越小
磁石和传感器的安装配置更加灵活。
框体或安装时许容误差范围可以更大。
不同干簧管等结构部件，产品体积更小、更可靠。
AMR的检测元素是由Ni、Fe组成的强磁性金属。
什么是巨磁电阻效应？
具体如下:
1、磁电阻效应，是指对通电的金属或半导体施加磁场作用时会引起电阻值的变化。其全称是磁致电阻变化效应。磁电阻效应可以表达为式中 （1）△ρ——有磁场和无磁场时电阻率的变化量；（2）ρ0——无磁场时的电阻率；（3）ρB——有磁场时的电阻率。在大多数金属中，电阻率的变化值为正，而过渡金属和类金属合金及饱和磁体的电阻率变化值为负。半导体有大的磁电阻各向异性。利用磁电阻效应，可以制成磁敏电阻元件，其常用材料有锑化铟、砷化铟等。磁敏电阻元件主要用来构造位移传感器、转速传感器、位置传感器和速度传感器等。为了提高灵敏度，增大阻值，可把磁敏电阻元件按一定形状（直线或环形）串联起来使用。
2、所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
巨磁电阻与一般电阻主要区别？
第一点，巨磁电阻是半导体材料，一般电阻是金属材料。
第二点，巨磁电阻的阻值随磁场强弱有关，而一般电阻跟磁场无关。
第三，巨磁电阻跟环境温度无关，而一般电阻大多随温度升高而增大。
所以，巨磁电阻和一般电阻存在本质区别。
