什么是阈值电压？
阈值电压 (Threshold voltage):通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
延伸阅读
典型MOS管的阈值电压是多少？
MOS的阈值电压是一个范围值的。
一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V,
200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。
当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。
这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看
该型号MOS的DATASHEET，才能用好。
为什么会阈值电压漂移？
引起阈值电压漂移的原因主要是界面态电荷的积累。
半导体晶格中存在的与其基体不同的其他化学元素原子。杂质的存在使严格按周期性排列的原氧施主的存在使硅片电阻率变化，器件的阈值电压漂移。当正常器件使用时，由于半导体-氧化界面处缺陷的产生或充放电，阈值电压会产生漂移现象。
二极管阈值电压怎么求？
二极管的正向两端电压降不是0。一般小功率二极管的正向两端电压降是0.7V，阈值0.5V，电压由0增加过阈值0.5V后，很快就稳定在0.7V。
阈值电压：指电压的临界点。例如，硅二极管的正向阈值电压为0.7V，当二极管的正向功率低于阈值电压时，二极管将停止工作，并进入截止状态。可以说0.7V是硅二极管的阈值电压。阈值电压广泛应用于工业控制、逆变器、家用电器等领域。最常见的是手机充电器。阈值电压为4.2V。当电池达到4.2V时，它将进入另一个状态。
阈值电压的求法？
阈值电压的计算
根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group — June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:
W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。
W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。
剩余58.3%
ttl与非门的阈值电压是什么？
TTL，电源电压+5V，阈值电压1.4V，输入低电平的上限0.8V，输入高电平的下限2.0V。
或非门：Y = (A + B)’ ，只要有一个输入是 1 ，输出就为 0 ；输入全为 0 ，输出才为 1 。 TTL 器件：输出高电平 ≥ 2.7V，典型值 3.6V，输出低电平 ≤ 0.4 V ；输入高电平 ＞ 2V，输入低电平＜ 0.8 V 。 CMOS 器件电源电压较宽，有的可达12V，高电平接近 Vcc 值 ，低电平 0V ~ 0.3 * Vcc 。
开门电平和关门电平基本上是相等的，对应曲线的斜率最大的地方的输入电平值，约为电源正电位的二分之一。
电压比较器阈值电压什么意思？
阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一。
阈值电压是什么？怎么理解？
阈值电压：是指电压的一个临界点，像硅二极管的正向阀值电压是0.7V，当二极管正向加电低于阀值电压就会停止工作，成为截止状态，我们就可以说0.7V是硅二极管的阀值电压。 阈值电压用途广泛，在工业控制，变频器，家电中都有应用，最常见的就是手机充电器，阀值电压4.2V当被充电池到达4.2V，就进入另一种状态！！
