欧姆接触的概述？
欧姆接触指的是它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：
（1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)
（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3) 前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。
若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。
延伸阅读
高阻氮化镓上直接做电极，怎么样才能做成欧姆接触？
N型GaN：利用磁控溅射法，将金属Ti/Al/Au依次溅射到N型GaN之上。最后剥离掉光刻胶，留下了N型电极。为了形成良好的欧姆接触，做好N电极之后，需要在800℃温度下退火3分钟。
P型GaN：磁控溅射，将Ni/Au金属镀到P型GaN，再剥离，清洗。电极制作完之后再氮气气氛中500℃温度下退火一分钟，形成良好的欧姆接触。
欧姆接触和肖特基接触特点？
欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。
欧姆接触的界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。而肖特基接触存在较大的接触势垒。
欧姆接触，有两个先决条件：一是金属与半导体间有低的势垒高度，二是半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3)。肖特基结是一种简单的金属与半导体的交界面，它与PN结相似，具有非线性阻抗特性。
欧姆接触电极原理？
欧姆接触:
金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。
欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。
什么是比接触电阻率？
比接触电阻率是对某一电流下的接触电阻，对欧姆接触而言各个电流下相同，而肖特基接触，因为I-V曲线弯曲着，各个电流下的接触电阻不同。
一般实验中很少是绝对的欧姆接触,也很少是绝对的肖特基接触。
欧姆接触是指接触电阻小于体电阻，接触不影响材料本身的电学性能。而肖特基接触则是另外的接触。当接触电阻远小于体电阻时，认为他是欧姆接触。当接触电阻接近体电阻时，可以认为是肖特基接触。
欧姆接触叙述正确的是？
欧姆接触是指金属与半导体形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，而且该电阻越小越好，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区而不在接触面。
因此，其I-V特性是线性关系，斜率越大接触电阻越小，接触电阻的大小直接影响器件的性能指标。
肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。
与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。扩展资料：肖特基接触到欧姆接触的转变：二维 (2D) InSe具有高达10^3 cm^2·V^-1·s^-1的电子迁移率，可以与黑磷相媲美，且能够在空气中稳定存在。
在实际应用中，2D InSe需要与金属电极直接接触以实现载流子的注入。
然而，接触界面会形成有限的肖特基势垒，其降低了载流子的注入效率，增大了接触电阻，从而极大的削弱了器件性能。
因此，通过调节接触界面的势垒高度来形成低电阻欧姆接触，对高性能半导体器件的设计，组装和制造至关重要。
什么是欧姆接触？实现欧姆接触的方法是什么？
所谓欧姆接触，是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在于活动区(Active region)而不在接触面。
欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件： （1）金属与半导体间有低的界面能障
